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SI4559ADY-T1-E3中文资料

SI4559ADY-T1-E3图片

SI4559ADY-T1-E3外观图

  • 大小:137.8KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, N/P, SO-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Cont Current Id N Channel:5.3A; Cont Current Id P Channel:3.9A; Current Id Max:4.3A; Junction Temperature Tj Min:150°C; On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel:58mohm; On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel:120mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel:72mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel:150mohm; Package / Case:SOIC-8; Power Dissipation N Channel 2:3.1W; Power Dissipation P Channel 2:...
  • 数据列表:SI4559ADY
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.3A,3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:58 毫欧 @ 4.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:665pF @ 15V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI4559ADY-T1-E3TR

SI4559ADY-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-09 04:20:20
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